半导体行业激光清洗解(jie)决(jue)方案(an)
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- 發布時間：2021-07-09 17:09
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【概要描述】当前，随着(zhou)半导体技术不断微缩，先(xian)进的集成电路器件已从(cong)平面向三维结构(gou)转变(bian)，集成电路制造工艺正变(bian)得越(yue)来越(yue)复杂，往往需要经过几百甚至上千(qian)道的工艺步骤。对于先(xian)进的半导体器件制造，每(mei)经过一道工艺，硅片表面都会或多或少的存在颗粒污染物(wu)、金属(shu)残留或有机物(wu)残留等，器件特征(zheng)尺寸的不断缩小(xiao)和(he)三维器件结构(gou)的日(ri)益复杂性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和(he)数量越(yue)来越(yue)敏(min)感。对硅晶元(yuan)上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其(qi)关键点(dian)在于克服污染微颗粒与基材之间极(ji)大的吸附力，传统的化学清洗、机械清洗、超声(sheng)清洗方法均无法满足(zu)需求，而激光清洗可以(yi)很(hen)容易解(jie)决(jue)此类污染问题。
半导体行业激光清洗解(jie)决(jue)方案(an)
【概要描述】当前，随着(zhou)半导体技术不断微缩，先(xian)进的集成电路器件已从(cong)平面向三维结构(gou)转变(bian)，集成电路制造工艺正变(bian)得越(yue)来越(yue)复杂，往往需要经过几百甚至上千(qian)道的工艺步骤。对于先(xian)进的半导体器件制造，每(mei)经过一道工艺，硅片表面都会或多或少的存在颗粒污染物(wu)、金属(shu)残留或有机物(wu)残留等，器件特征(zheng)尺寸的不断缩小(xiao)和(he)三维器件结构(gou)的日(ri)益复杂性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和(he)数量越(yue)来越(yue)敏(min)感。对硅晶元(yuan)上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其(qi)关键点(dian)在于克服污染微颗粒与基材之间极(ji)大的吸附力，传统的化学清洗、机械清洗、超声(sheng)清洗方法均无法满足(zu)需求，而激光清洗可以(yi)很(hen)容易解(jie)决(jue)此类污染问题。
- 分類：行業新聞
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- 來源：
- 發布時間：2021-07-09 17:09
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當前，隨著(zhou)半導體技術不斷微縮，先(xian)進的集成電路器件已從(cong)平麵向三維結構(gou)轉變(bian)，集成電路製造工藝正變(bian)得越(yue)來越(yue)複雜，往往需要經過幾百甚至上千(qian)道的工藝步驟。對於先(xian)進的半導體器件製造，每(mei)經過一道工藝，矽片表麵都會或多或少的存在顆粒汙染物(wu)、金屬(shu)殘留或有機物(wu)殘留等，器件特征(zheng)尺寸的不斷縮小(xiao)和(he)三維器件結構(gou)的日(ri)益複雜性，使得半導體器件對顆粒汙染、雜質濃度和(he)數量越(yue)來越(yue)敏(min)感。對矽晶元(yuan)上掩模表麵的汙染微粒的清洗技術提出了更高的要求，其(qi)關鍵點(dian)在於克服汙染微顆粒與基材之間極(ji)大的吸附力，傳統的化學清洗、機械清洗、超聲(sheng)清洗方法均無法滿足(zu)需求，而激光清洗可以(yi)很(hen)容易解(jie)決(jue)此類汙染問題。
另外，隨著(zhou)集成電路器件尺寸持續縮小(xiao)，清洗工藝過程中的材料(liao)損失和(he)表麵粗糙度成為必(bi)須(xu)關注的問題，將(jiang)微粒去(qu)除(chu)而又沒(mei)有材料(liao)損失和(he)圖形損傷是最(zui)基本的要求，激光清洗技術具有非接觸性、無熱效應，不會對被清洗物(wu)體產生表麵損壞(huai)，且不會產生二次汙染等傳統清洗方法所無法比擬(ni)的優勢(shi)，是解(jie)決(jue)半導體器件汙染最(zui)佳(jia)的清洗方法。
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